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盤中暴漲22%!10年長單引爆碳化硅龍頭股價,整車平臺高壓化或成主要驅(qū)動

2023-07-06 10:10:03    來源:科創(chuàng)板日報    

《科創(chuàng)板日報》7月6日訊(編輯 鄭遠方)碳化硅行業(yè)迎來一筆大單。

全球碳化硅襯底市占率第一的Wolfspeed與瑞薩電子5日宣布,已簽署為期10年的碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議。

根據(jù)協(xié)議,Wolfspeed將在2025年向瑞薩供應(yīng)6英寸碳化硅襯底與外延片;且公司北卡羅來納州廠全面運作之后,將向瑞薩供應(yīng)8英寸碳化硅襯底與外延片。


(資料圖)

瑞薩已向Wolfspeed支付了20億美元的定金,用于確保6英寸/8英寸碳化硅晶圓的供應(yīng),并支持Wolfspeed在美國的產(chǎn)能擴張計劃。

這項協(xié)議將有助于推進碳化硅在汽車、工業(yè)和能源領(lǐng)域的應(yīng)用。

受此消息影響,當?shù)貢r間7月5日,Wolfspeed大幅高開,盤中一度漲超22%,最終收漲11.02%,報62.99美元/股。

10年長單的背后,離不開終端應(yīng)用需求上漲。例如,碳化硅近期正加速“上車”。

近期上市的小鵬G6搭載了800V碳化硅高壓平臺;理想汽車也研發(fā)了800V高壓平臺和5C電池,并推出動力系統(tǒng)易四方平臺,而易四方平臺全系列車型標配碳化硅電控。

位于產(chǎn)業(yè)鏈中游的德國汽車零部件制造商緯湃科技(Vitesco)也在近期簽下兩項碳化硅產(chǎn)品采購長單

6月下旬,其與羅姆簽下碳化硅功率器件長期合作協(xié)議,雙方在2024-2030年間的交易額將超過1300億日元(約合9億美元)。緯湃科技將在逆變器中集成羅姆的碳化硅半導(dǎo)體,并應(yīng)用于電動汽車動力系統(tǒng)。

5月31日,安森美也與緯湃科技宣布了一項碳化硅產(chǎn)品10年期供應(yīng)協(xié)議,協(xié)議價值19億美元。緯湃科技將向安森美提供2.5億美元投資,用于采購碳化硅生產(chǎn)相關(guān)設(shè)備,以提前鎖定后者的碳化硅產(chǎn)能。

另外,6月7日,三安光電與意法半導(dǎo)體宣布,將攜手成立一家合資制造廠,大規(guī)模量產(chǎn)8英寸碳化硅產(chǎn)品,建設(shè)總額預(yù)計為32億美元,預(yù)計2025年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn),2028年達產(chǎn),規(guī)劃達產(chǎn)后生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓10000片/周。

總體而言,雖說目前碳化硅MOSFET價格相比于硅IGBT價格仍然較高,但碳化硅功率器件在耐壓等級、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備明顯優(yōu)勢。新能源汽車已成為碳化硅功率器件最主要的市場。

在目前各大主流車廠積極布局800V電壓平臺的背景下,券商認為碳化硅的性價比突出,市場前景廣闊,而配套的直流充電樁市場將進一步加速碳化硅需求增長。

與此同時,光伏、儲能等也是碳化硅的新應(yīng)用場景。碳化硅功率模塊可使逆變器轉(zhuǎn)換效率提升至99%以上,能量損耗降低30%以上,同時具備縮小系統(tǒng)體積、增加功率密度、延長器件使用壽命、降低系統(tǒng)散熱要求等優(yōu)勢。國泰君安預(yù)計,2026年光伏用第三代半導(dǎo)體市場空間將接近20億元,五年CAGR超過30%。另外,隨著可再生能源發(fā)電占比提高以及智能電網(wǎng)的應(yīng)用,儲能系統(tǒng)與電力電子變壓器進一步拓寬了碳化硅的市場。

據(jù)《科創(chuàng)板日報》不完全統(tǒng)計,A股碳化硅相關(guān)廠商包括:

天岳先進具備碳化硅襯底制備全流程核心關(guān)鍵技術(shù),已與英飛凌、博世集團等加強合作;

三安光電與意法半導(dǎo)體攜手成立一家合資制造廠,大規(guī)模量產(chǎn)8英寸碳化硅產(chǎn)品;

合盛硅業(yè)2萬片寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅襯底及外延片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線項目已通過驗收;

斯達半導(dǎo)SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目順利開展,使用公司自主芯片的車規(guī)級SiC-MOS模塊預(yù)計2023年開始向客戶批量供貨;

德龍激光碳化硅晶錠激光切片技術(shù)已完成工藝研發(fā)和測試驗證,并取得頭部客戶批量訂單;

晶盛機電成功研發(fā)出8英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備,可實現(xiàn)摻雜均勻性4%以內(nèi)的外延質(zhì)量,可兼容6、8寸碳化硅外延生產(chǎn);

晶升股份已形成8-12英寸28nm制程以上半導(dǎo)體級單晶硅爐、6英寸碳化硅單晶爐量產(chǎn)銷售。

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